APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING ONE SIDE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
Germany Patent
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht, mit – zumindest einem Ätzbecken zur Aufnahme eines Elektrolyten, – einer ersten Elektrode, welche zur elektrischen Kontaktierung des sich bei Benutzung in dem Ätzbecken befindenden Elektrolyten angeordnet ist, – zumindest einer zweiten Elektrode, welche zur mittelbaren oder unmittelbaren elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschicht angeordnet ist, – zumindest einer elektrischen Stromquelle, welche mit der ersten und der zweiten Elektrode zum Erzeugen eines Ätzstroms elektrisch leitend verbunden ist und – zumindest einer Transportvorrichtung zum Transport der Halbleiterschicht relativ zu dem Ätzbecken, derart, dass im Wesentlichen nur eine zu ätzende Ätzseite der Halbleiterschicht durch den sich bei Benutzung in dem Ätzbecken befindenden Elektrolyten benetzbar ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Stromquelle als variable Stromquelle ausgebildet ist und dass die Vorrichtung eine Steuereinheit zur Steuerung der variablen Stromquelle aufweist, wobei die Vorrichtung ausgebildet ist, dass der Ätzstrom während des Ätzvorgangs mittels der Steuereinheit automatisch änderbar ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum einseitigen Ätzen einer Halbleiterschicht.
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Cited Art Landscape
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