SEMICONDUCTOR FUSE WITH DETECTION CIRCUIT FOR THE DETECTION OF A DRIFT OF THE GATE THRESHOLD VOLTAGE

Germany Patent

APP PUB NO DE-102023105111-A1
SERIAL NO

102023105111

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Abstract

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Die Offenbarung betrifft eine Halbleitersicherung (200) zum sicheren Trennen eines elektrischen Verbrauchers (112) von einer Energieversorgungsquelle (111) für ein batterie-elektrisches Fahrzeug. Die Halbleitersicherung (200) umfasst ein Halbleiterschaltelement (211), das zwischen die Energieversorgungsquelle (111) und den elektrischen Verbraucher (112) schaltbar ist. Das Halbleiterschaltelement (211) weist einen Gate-Steueranschluss (212) zum An- und Abschalten eines Leistungspfades (130) des Halbleiterschaltelements (211) auf. Die Halbleitersicherung (200) umfasst ferner: eine Treiberschaltung (221), die ausgebildet ist, an den Gate-Steueranschluss (212) des Halbleiterschaltelements (211) eine Treiberspannung (223) anzulegen, die kleiner ist als eine vorgegebene Gate-Schwellspannung des Halbleiterschaltelements (211); eine Detektionsschaltung (222), die ausgebildet ist, einen Widerstand des Leistungspfades (130) des zumindest einen Halbleiterschaltelements (211) zu bestimmen und basierend auf dem Widerstand des Leistungspfades (130) einen Drift der Gate-Schwellspannung zu erkennen; und eine Steuerung (220), die ausgebildet ist, bei einem Erkennen der Drift der Gate-Schwellspannung eine Fehlfunktion des zumindest einen Halbleiterschaltelements anzuzeigen.

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Patent Owner(s)

Patent OwnerAddress
DRAEXLMAIER LISA GMBHDEFORT FAIRES GERMANY

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Inventor Name Address
HAGENAUER STEFAN ALTHEIM
HOFINGER STEFAN SANKT WOLFGANG

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