Switch semiconductor integrated circuit

Germany Patent

APP PUB NO DE-10309330-A1
SERIAL NO

10309330

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Abstract

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Ein integrierter Schaltkreis für einen Halbleiter-Schalter umfasst einen Schalt-Feldeffekttransistor zur Steuerung des Durchgangs eines Hochfrequenzsignals, wobei der Schalt-Feldeffekttransistor durchgeschaltet und gesperrt wird. Der integrierte Halbleiter-Schalter umfasst einen logischen Steuerabschnitt, der unter Verwendung einer Inverterschaltung aufgebaut ist, die das Schaltsignal in Abhängigkeit von einem extern zugeführten Steuersignal erzeugt, wobei die Inverterschaltung einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor aufweist, dessen Gate-Elektrode über einen Gate-Widerstand mit dem Ausgang der Inverterschaltung verbunden ist, während der Ausgang mit einem Koppelkondensator verbunden ist, der einen Teil des Hochfrequenzsignals einkoppelt. Das eingekoppelte Hochfrequenzsignal wird von einer zwischen dem Gate- und Drain-Bereich des Sperrschicht-Feldeffekttransistors virtuell existierenden Äquivalentdiode gleichgerichtet und einer dem Gate-Bereich des Schalt-Feldeffekttransistors zugeführten Gleichspannung überlagert.

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Patent Owner(s)

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NEW JAPAN RADIO CO LTDJPTOKYO JAPAN

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TOSAKA HIROYUKI KAMIFUKUOKA

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